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廣芯微電子聯(lián)手英諾賽科突破高速電機控制邊界:100KHz雙頻同步,實測超25萬轉(zhuǎn)穩(wěn)定運行
發(fā)布人:廣芯微 發(fā)布時間:2026/03/26

      伴隨氮化鎵(GaN)功率器件、超高速電機與高功率密度系統(tǒng)持續(xù)演進(jìn),電機控制系統(tǒng)正進(jìn)入新的技術(shù)拐點。尤其在高速、低電感、高電角速度應(yīng)用中,一個長期被行業(yè)忽視的結(jié)構(gòu)性矛盾日益凸顯:功率級已跨入100KHz時代,而控制級仍普遍停留在更低頻的舊世界。這種電流環(huán)與PWM非同步架構(gòu)在超高速工況下,會持續(xù)放大采樣、計算與更新鏈路中的延遲影響,逼近工程設(shè)計的邊界。

      近日,國產(chǎn)電機控制MCU領(lǐng)軍企業(yè)廣芯微電子(Unicmicro)與全球氮化鎵工藝創(chuàng)新與功率器件制造領(lǐng)導(dǎo)者英諾賽科Innoscience),聯(lián)合發(fā)布基于UM32G421確定時序?qū)崟r控制 MCU、INS2040FQ驅(qū)動芯片及INN060EB009DAD氮化鎵功率管“100KHz雙頻同步FOC控制方案。

      在2對極超高速永磁同步電機(PMSM)測試平臺上,該方案已成功實現(xiàn) 250,000 RPM機械轉(zhuǎn)速的穩(wěn)定閉環(huán)運行;在實驗室極限工況下,機械轉(zhuǎn)速進(jìn)一步超過 270,000 RPM,對應(yīng)電頻率約9.0KHz。實測數(shù)據(jù)顯示,在800W典型工況下,該方案在100KHz載頻條件下實現(xiàn)了 97.6%的板級峰值效率,顯著降低了散熱需求與板級溫升。

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圖1:100KHz雙頻同步電機控制板

    一、確定時序:推動控制從平均正確走向時序正確

           本次方案的關(guān)鍵突破,不只是單純推高PWM頻率,而是實現(xiàn)了PWM載頻與FOC電流環(huán)更新頻率同為100KHz的高維同步。

    這意味著系統(tǒng)在每一個10μs周期內(nèi),均能獨立完成采樣、計算、更新與生效,將等效控制延遲嚴(yán)格控制在 TDelay1xTpwm以內(nèi)。對于高電頻、低載波比的超高速應(yīng)用而言,這種確定時序能力從根本上抑制了跨周期歷史信息混入控制決策的風(fēng)險,極大提升了高速段電流環(huán)、觀測器與調(diào)制過程的整體穩(wěn)定性。

    二、核心硬件協(xié)同:算力與功率的深度耦合

           方案的穩(wěn)定落地,源于控制與功率兩個維度的深度硬件協(xié)同,全面超越傳統(tǒng)國產(chǎn)與國際主流競品的工程極限:

    • ? 控制心臟(廣芯微電子 UM32G421 MCU): 憑借獨特的定時器倍頻技術(shù),PWM分辨率達(dá)到納秒級;內(nèi)置高達(dá)204MHzBoost模式)的運算核心,將FOC環(huán)路計算時間壓縮至 <3μs以內(nèi)(不含觀測器時間),為100KHz單周期內(nèi)的復(fù)雜算法與安全檢測預(yù)留了充足裕量。此外,芯片內(nèi)置的高速運放(OPA)與比較器支持納秒級硬件短路保護響應(yīng),完美護航GaN器件的安全運行。UM32G421已獲得AEC-Q100 Grade 1車規(guī)級認(rèn)證。

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    圖2:UM32G421-KCU7 實物圖

           UM32G421是一顆面向電機控制與高性能電力電子的“確定時序”實時控制 MCU。所謂確定時序,是指控制系統(tǒng)能夠在預(yù)定周期內(nèi),以可預(yù)測、低抖動的方式完成采樣=》計算=》調(diào)制更新與納秒級保護響應(yīng)。它通過高分辨率定時器、外設(shè)同步觸發(fā)鏈、高速模擬前端與快速硬件保護機制,強化了控制鏈路的時序可控性,適用于電機控制、DCDC、數(shù)字電源、逆變器、PFC 等對時序一致性、低延遲保護和高速閉環(huán)響應(yīng)要求極高的場景。
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    圖3:UM32G421-KCU7 資源框圖

    能量引擎(英諾賽科 GaN 功率級):方案搭配英諾賽科的INS2040FQ柵極驅(qū)動器以及六顆INN060EB009DAD氮化鎵功率管。憑借驅(qū)動鏈路約25ns的超低傳播延遲以及 GaN 器件的零反向恢復(fù)(Zero Qrr)特性,系統(tǒng)在 100KHz 高頻開關(guān)條件下仍保持極低的開關(guān)損耗。
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    圖4:基于UM32G421 + INS2040FQ + INN060EB009DAD的硬件拓?fù)淇驁D

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    表1:英諾賽科 GaN方案 vs 傳統(tǒng) Si方案 (材料級對比) 

           本方案的核心意義在于:讓控制從平均意義正確,升級為時序意義正確,確保在每一個 PWM 周期內(nèi)完成獨立、確定的控制決策。

    三、突破載波比極限:從N15 N11

           本次發(fā)布的關(guān)鍵突破,在于重新界定了超高速電機控制的工程可行域。廣芯微電子技術(shù)團隊在充分挖掘UM32G421控制資源的基礎(chǔ)上,于實測中實現(xiàn)了如下關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo):

     2 對極(極)超高速PMSM電機上,實現(xiàn) 100KHz PWM100KHz電流環(huán)的同步更新控制。于機械轉(zhuǎn)速約 270,000 RPM(對應(yīng)電頻率fe9.0KHz工況下,按 (N=fpwm/fe定義的載波比達(dá)到 (N11)。系統(tǒng)采用雙采樣/雙更新的同步架構(gòu),將采樣計算更新生效的等效控制延遲控制在TDelay1xTpwm,實現(xiàn)高速段無失步、無失控的穩(wěn)定運行。

    四、實測波形解讀:在物理極限附近保持確定性

    1. 100KHz 雙頻同步波形
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     圖5:實測100KHz載頻下的PWM波形(藍(lán)色)與相電流波形(綠色)

    如圖所示,PWM 波形與相電流波形在時序上高度對齊,FOC 控制在每一個PWM周期內(nèi)完成獨立矢量計算。相電流呈現(xiàn)出畸變極低、接近理想正弦的形態(tài),波含量極低。

    2. 極限工況下的調(diào)制魯棒性
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    圖6:超高轉(zhuǎn)速實測,電頻率達(dá)9.058KHz(折合電轉(zhuǎn)速約543,480 RPM

    如圖所示,當(dāng)電頻率逼近9.06KHz(載波比 (N11)低載波比的惡劣離散采樣條件下,UM32G421 的觀測器依然能緊鎖相位,保持連續(xù)可控的相電流基波,證明了在這一極限區(qū)間下的可控性與穩(wěn)定運行能力。

    面向高速響應(yīng)與高功率密度賽道

          基于時序確定性、先進(jìn)調(diào)制與寬禁帶功率級深度協(xié)同的系統(tǒng)級優(yōu)勢,該平臺的意義不只在于實現(xiàn)了100KHz 雙頻同步,更在于驗證了高計算載頻與高發(fā)波載頻在高速閉環(huán)控制中的系統(tǒng)級價值:前者提升控制更新率與觀測實時性,后者改善調(diào)制分辨率與紋波表現(xiàn),而平臺在采樣窗口、死區(qū)、調(diào)制方式與檢測鏈路之間形成的協(xié)同優(yōu)化,則為高電頻、低載波比場景下的穩(wěn)定運行提供了關(guān)鍵支撐。

          本平臺驗證了一套面向高電頻、低載波比、高速閉環(huán)場景的領(lǐng)先控制能力,這套能力具備向多個高價值電機與電力電子應(yīng)用遷移的潛力。該平臺尤其契合對動態(tài)響應(yīng)、轉(zhuǎn)速與輕量化有嚴(yán)苛要求的高價值市場,例如高KV FPV 穿越機 FOC 電調(diào)及高性能無人機動力系統(tǒng)。同時,該方案也為超高速微型壓縮機、高功率密度科技家電,以及未來向機器人高端靈巧手微型執(zhí)行器、EDF 涵道風(fēng)扇等方向的演進(jìn),構(gòu)建了可遷移的底層控制平臺。
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    圖7:電機應(yīng)用參考圖(AI生成)


    關(guān)于廣芯微電子

          廣芯微電子是一家專注于電力電子核心控制芯片及場景化系統(tǒng)解決方案的高科技企業(yè)。我們圍繞傳感交互與電機與電源兩大場景,自主研發(fā)高性能、高精度、高實時性MCUPD快充協(xié)議芯片、Sub-GHz無線通信芯片等關(guān)鍵產(chǎn)品,并提供無人機、熱管理風(fēng)機、微型逆變器、智能鋰電、工業(yè)無線網(wǎng)關(guān)等全棧式方案,助力客戶在新能源、工業(yè)自動化、智能機器人領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高效化與智能化升級。